【資料圖】
6 月 8 日消息,SK 海力士 8 日宣布,已開始量產 238 層 4D NAND 閃存,并正在與生產智能手機的海外客戶公司進行產品驗證。
SK 海力士總部位于韓國,這里指的“智能手機海外客戶”非常有可能是中國國產手機廠商,這意味著國產手機將率先用上 238 層 4D NAND 閃存。
238 層 NAND 閃存是目前世界上最小體積的芯片,生產效率比上一代的 176 層提升了 34%,數據傳輸速度為每秒 2.4Gb(千兆比特),比上一代的速度快 50%。并且也改善了約 20% 的讀寫性能。
SK 海力士稱,238 層 NAND 閃存可將為采用該產品的智能手機和 PC 提供更高的性能。
SK 海力士計劃在完成智能手機客戶公司的驗證后,首先向移動端產品供應 238 層 NAND 閃存,隨后將其適用范圍擴大到基于 PCIe 5.0 的 PC 固態硬盤(SSD)和數據中心級高容量固態硬盤產品等。
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